100mm(4인치) 웨이퍼는 1975년에 처음으로 도입되었으며 150mm(6인치) 웨이퍼가 상용화된 1981년까지 업계의 표준 제품으로 사용되었습니다. 100mm 웨이퍼는 여전히 많은 어플리케이션 용도로 사용되고 있으며 현재는 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼 개발 및 다양한 옵티컬, MEMS용 제품을 위하여 사용되고 있기도 합니다. SVM은 다양한 규격의 100mm 웨이퍼를 항상 충분히 보유하고 있으며 아래 규격 리스트에 관련된 사항 또는 다른 문의 사항이 있으실 경우 언제든지 연락해 주시기 바랍니다.

Diameter: 100 +/- 0.2 mm
Type/Dopant: P/Boron
Orientation: <100> +/- 1
Growth Method: Cz
Resistivity: 10-30 Ω-cm
Thickness: 500-550 μm
TTV: <10 μm
TIR: <6 μm
Front Surface: Polished
Back Surface: Etched
Particle Count: <10@0.3
Flats: 2 SEMI Standard
Edges: Rounded and polished per SEMI Standard

Diameter: 100 +/-0.2 mm
Type/Dopant: P/Boron
Orientation: <100> +/- 1
Growth Method: Cz
Resistivity: 1-100 Ω-cm
Thickness: 450-550 μm
TTV: <=10 μm
Front Surface: Polished
Back Surface: Polished
Flats: 2 SEMI Standard
Edges: Rounded and polished per SEMI Standard

Diameter: 100 +/-0.2 mm
Type/Dopant: N/Phosphorus
Orientation: <100> +/- 1
Growth Method: Cz
Resistivity: 1-100 Ω-cm
Thickness: 500-550 μm
Front Surface: Polished
Back Surface: Etched
Flats: 2 SEMI Standard
Edges: Rounded and polished per SEMI Standard

Diameter: 100 +/- 0.2 mm
Type/Dopant: Customer Specified
Orientation: Customer Specified
Growth Method: Cz
Resistivity: Customer Specified
Thickness: Customer Specified
TTV: Customer Specified
Front Surface: Polished
Back Surface: Customer Specified
Flats: 2 SEMI Standard
Edges: Rounded and polished per SEMI Standard